Si/SiGe: C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications.
Pascal ChevalierMichael SchröterColombo R. BolognesiVincenzo d'AlessandroMaria AlexandrovaJosef BockRalf FlickigerSébastien FregoneseBernd HeinemannChristoph JungemannRickard LovblomCristell ManeuxOlivier OstinelliAndreas PawlakNiccolò RinaldiHolger RückerGerald WedelThomas ZimmerPublished in: Proc. IEEE (2017)