Extraction of the active acceptor concentration in (pseudo-) vertical GaN MOSFETs using the body-bias effect.
Raoul HentschelAndre WachowiakA. GroßerSimon KotzeaA. DebaldHolger KalischAndrei VescanA. JahnS. SchmultThomas MikolajickPublished in: Microelectron. J. (2019)